Ogniwo słoneczne

Technologia Silicon Heterojunction (HJT) opiera się na polu emitera i tylnej powierzchni (BSF), które są wytwarzane przez niskotemperaturowy wzrost ultracienkich warstw krzemu amorficznego (a-Si:H)

Ogniwo słoneczne 210 mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) ma wydajność 24,4 procent i moc znamionową 10,76 W na ogniwo.

Technologia Silicon Heterojunction (HJT) opiera się na polu emitera i tylnej powierzchni (BSF), które są wytwarzane przez niskotemperaturowy wzrost ultracienkich warstw krzemu amorficznego (a-Si:H)

Technologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) zwiększa wydajność ogniw słonecznych typu N do 25%.Przemysłowe ogniwo słoneczne TOPCon 210 mm ma maksymalną sprawność 24,4% i moc znamionową 10,76

23% sprawności 210mm ogniwo słoneczne ma 10,14 wata mocy znamionowej.132pcs pół-cięte 210mm Mono PERC ogniwa słoneczne mogą montować panele słoneczne o mocy do 670 watów.

Laser SE w połączeniu z technologią PERC sprawia, że ogniwa słoneczne o mocy znamionowej 182 mm do 7,58 W przy sprawności 23%.72 sztuki ogniw słonecznych Mono PERC 182 mm w połączeniu z technologią

Technologia TOPCON (styk pasywowany z tlenkiem tunelu) zwiększa wydajność ogniw słonecznych typu N do 24,5%. Monokrystaliczne ogniwo słoneczne TOPCon typu N 182 mm ma moc znamionową 8,08 W przy

Ulepszony z technologii PERT, technologia TOPCON (pasywowany kontakt tlenkiem tunelu) w połączeniu z warstwą pasywacyjną AlOx / SiNx zwiększa wydajność ogniwa słonecznego typu N 166 mm do 24,4%.

N-type Mono bifacial PERT (pasywowany emiter tylny całkowicie rozproszone) krzemowe ogniwa słoneczne posiadają wysoką i ustabilizowaną wydajność konwersji.N typu dwutwarzowe ogniwo słoneczne PERT

Krzemowe ogniwa słoneczne typu mono bifacial PERT (pasywowany emiter tylny całkowicie rozproszony) charakteryzują się wysoką i ustabilizowaną wydajnością konwersji. Krzemowe ogniwa słoneczne typu N

Technologia ogniw PERC definiuje architekturę ogniw słonecznych, która różni się od standardowej architektury ogniw, która jest używana od trzech dekad i która jest zwykle opisywana we wszystkich

PREC to skrót od Passivated Emitter i Rear Cell. Opiera się na monokrystalicznym krzemowym ogniwie słonecznym typu P. Technologia ogniw PERC definiuje architekturę ogniw słonecznych, która różni się