P Typ M10 Monokrystaliczny wafel solarny

Metoda wzrostu

CZ

Krystaliczność

Monokrystaliczny

Preferencyjne techniki wytrawiania（ASTM F47-88）

Typ przewodności

Typ P

Napson EC-80TPN

P/N

Domieszka

Bor, GalG

-

Stężenie tlenu [Oi]

≦8E (17 w/cm)³

FTIR (ASTM F121-83)

Stężenie węgla [Cs]

≦5E (16 at/cm)³

FTIR (ASTM F123-91)

Gęstość wytrawiania (gęstość dyslokacji)

≦500 cm^-3

Preferencyjne techniki wytrawiania（ASTM F47-88）

Orientacja powierzchni

& lt;100>±3°

Metoda dyfrakcji rentgenowskiej (ASTM F26-1987)

Orientacja boków pseudokwadratowych

& 010>,&001>±3°

Metoda dyfrakcji rentgenowskiej (ASTM F26-1987)

Oporność

0,5-1,5 Ωcm

System kontroli wafli

MCLT (czas życia przewoźnika mniejszościowego)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(z poziomem wtrysku: 1E15 cm^-3)

Geometria

Pełny kwadrat

Długość boku wafla

182±0,25mm

system kontroli opłatków,

Średnica wafla

φ247±0,25mm

system kontroli opłatków,

Kąt między sąsiednimi bokami

90° ± 0.2°

system kontroli opłatków,

Grubość

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (całkowita zmiana grubości)

≤27 µm

system kontroli opłatków,

Metoda cięcia

DW

--

Jakość powierzchni

po cięciu i oczyszczeniu, bez widocznych zanieczyszczeń, (olej lub tłuszcz, odciski palców, plamy z mydła, plamy z gnojowicy, plamy z żywic epoksydowych/klejów są niedozwolone)

system kontroli opłatków,

Ślady piły / kroki

≤ 15µm

system kontroli opłatków,

Kokarda

≤ 40 µm

system kontroli opłatków,

Osnowa

≤ 40 µm

system kontroli opłatków,

Żeton

głębokość ≤ 0,3 mm i długość ≤ 0,5 mm Max 2/szt; bez V-chipów

System kontroli gołym okiem lub opłatkiem

Mikropęknięcia/dziury

Nie dozwolony

system kontroli opłatków,