Pół-płytka izolacyjna SiC 4H

Pół{0}}podłoża SiC charakteryzują się wysoką rezystywnością i doskonałymi właściwościami termicznymi, dzięki czemu nadają się do stosowania w zastosowaniach związanych ze wzrostem heteroepitaksjalnym GaN i półprzewodnikami RF o wysokiej-częstotliwości. Jako wysoka-wydajnośćPodłoże SiC, jest szeroko stosowany w urządzeniach opartych na HEMT-w zaawansowanych systemach komunikacyjnych, w tym w infrastrukturze 5G.

Te pół{0}}izolacyjnePłytki SiCzapewniają także doskonałe właściwości optyczne i materiałowe, wspierając nowe zastosowania w optoelektronice i elektronice ubieralnej.. 12-calowe podłoża SiC oferują potencjał dla zastosowań nowej-generacji, takich jak okulary AR i inne zaawansowane urządzenia optyczne.

 

6-calowy
Średnica	150,0 mm+0mm/-0,2 mm
Orientacja powierzchni	{0001}±0,2 stopnia
Podstawowa orientacja płaska	/
Orientacja płaska wtórna	/
Podstawowa długość płaska	Karb
Dodatkowa długość płaska	Nic
Orientacja wycięcia	<1100>±1,0 stopnia
Głębokość wycięcia	Brak 1 mm+0.25mm/-0mm od krawędzi
Kąt nacięcia	90 stopni +5 stopni / -1 stopień
Grubość	500,0 um ± 25,0 um
Typ	Pół{0}}izolacyjne

 

 

 

8-calowy
Średnica	200,0 mm+0mm/-0,5 mm
Orientacja powierzchni	{0001}±0,2 stopnia
Podstawowa orientacja płaska	/
Orientacja płaska wtórna	/
Podstawowa długość płaska	Karb
Dodatkowa długość płaska	Nic
Orientacja wycięcia	<1100>±1,0 stopnia
Głębokość wycięcia	Brak 1 mm+0.25mm/-0mm od krawędzi
Kąt nacięcia	90 stopni +5 stopni / -1 stopień
Grubość	500,0 um ± 25,0 um
Typ	Pół{0}}izolacyjne

 

 

12-calowy
Średnica	300,0 mm+0mm/-0,5 mm
Orientacja powierzchni	{0001}±0,5 stopnia
Podstawowa orientacja płaska	/
Orientacja płaska wtórna	/
Podstawowa długość płaska	Karb
Dodatkowa długość płaska	Nic
Orientacja wycięcia	<1100>±5,0 stopnia
Głębokość wycięcia	Brak 1 mm+0.25mm/-0mm od krawędzi
Kąt nacięcia	90 stopni +5 stopni / -1 stopień
Grubość	750,0 um ± 25,0 um
Typ	Pół{0}}izolacyjne