P Typ M4 Monokrystaliczny wafel solarny

Metoda wzrostu

Cz

Krystaliczności

Monokrystaliczna

Preferencyjne techniki etch（ASTM F47-88）

Typ przewodności

Typ P

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant (dopant)

Bor, Gal

-

Stężenie tlenu[Oi]

≦8E+17 w/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Stężenie węgla[Cs]

≦5E+16 w/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Gęstość wytrawienia (gęstość zwichnięcia)

≦500 cm^-3

Preferencyjne techniki etch（ASTM F47-88）

Orientacja powierzchni

<100>±3°

Metoda dyfrakcji rentgenowskiej (ASTM F26-1987)

Orientacja pseudo kwadratowych boków

<010>,<001>±3°

Metoda dyfrakcji rentgenowskiej (ASTM F26-1987)

Rezystywności

0,5-1,5 Ω cm

System kontroli płytek

MCLT (okres istnienia przewoźnika mniejszościowego)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(z poziomem wtrysku: 1E15 centymetr^-3)

geometria

Quasi kwadratowy

Długość boku wafla

161,7±0,25 mm

system kontroli płytek

Średnica wafla

φ221±0,25 mm

system kontroli płytek

Kąt między przyległych boków

90° ± 0,2°

system kontroli płytek

grubość

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (zmiana całkowitej grubości)

≤27 μm

system kontroli płytek

Metoda cięcia

Dw

--

Jakość powierzchni

jak cięte i czyszczone, nie ma widocznych zanieczyszczeń( olej lub smar, odciski palców, plamy mydła, plamy gnojowicy, plamy epoksydowe/klejowe nie są dozwolone)

system kontroli płytek

Ślady piły / kroki

≤ 15μm

system kontroli płytek

łuk

≤ 40 μm

system kontroli płytek

osnowa

≤ 40 μm

system kontroli płytek

Chip

głębokość ≤0,3 mm i długość ≤ 0,5 mm Max 2/ szt;   brak układu V

Gołymi oczami lub system kontroli płytek

Mikro pęknięcia / otwory

Niedozwolone

system kontroli płytek